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Exagan lève 5,7 M€ pour industrialiser sa technologie

Isère le 13 juillet 2015 - Laurent Marchandiau - Tech et Médias - article lu 381 fois

Exagan lève 5,7 M€ pour industrialiser sa technologie
Jayet-CEA - Le savoir-faire d'Exagan repose sur la production de son matériau sandwich : silicium, G-Stack et nitrure de gallium.

Spin-off du CEA-Leti et du leader mondial du silicium sur isolant, Soitec, la startup grenobloise Exagan vient de lever 5,7 M€ auprès du CEA, de Soitec et d'investisseurs en capital-risque. Son objectif ? Industrialiser sa technologie de composants électroniques de puissance en nitrure de gallium sur silicium d'ici à deux ans.

Devenir le leader européen des convertisseurs électriques en nitrure de gallium pour les secteurs de l’automobile, du solaire et des télécommunications. Tel est l’objectif de la startup grenobloise Exagan comptant six collaborateurs. Issue d’un essaimage technologique du CEA-Leti et de Soitec, l’entreprise, fondée en avril 2014, se donne les moyens de ses ambitions en finalisant une première levée de fonds de 5,7 M€ auprès de cinq investisseurs (CEA Investissement, Soitec, IRDInov, CM-CIC et Technocom2).

Cette opération devrait lui permettre de passer à la phase industrielle et d’adresser rapidement ses marchés cibles. Alors que l’électronique de puissance a moins de 50 ans, la technologie développée à base de nitrure de gallium par Exagan s’avère des plus prometteuses avec l’essor des matériels mobiles notamment (smartphone, GPS, PC portable, etc). Concrètement, la société conçoit des composants électroniques servant d’interrupteurs dans les convertisseurs d’énergies (comme les transformateurs.) Actuellement, la modification d’une tension à son entrée comme à sa sortie  tout en conservant l’énergie, s’effectue avec une perte allant de 2 % à 10 % en moyenne du fait de l’imperfection des éléments physiques.

C’est précisément là qu’intervient Exagan : « Vis-à-vis des solutions classiques à base de silicium, notre technologie permet de diviser par deux les pertes électriques et de trois l’encombrement tout en augmentant de 3 à 10 la fréquence de commutation », précise Frédéric Dupont, Pdg et cofondateur d’Exagan. Résultat : des économies d’énergie substantielle et des coûts limités puisque la startup prévoit de produire ses composants sur une galette de silicium de 200 mm de diamètre, un procédé identique et bien rodé utilisé depuis de nombreuses années dans l’industrie électronique pour la fabrication de composants électronique en silicium.

Vu que le coefficient de dilatation thermique est différent entre le silicium et le nitrure de gallium, la société a contourné le problème en ajoutant une couche tampon « G-Stack » évitant les éventuelles ruptures de liaisons entre ces deux matériaux. Les premiers produits d’Exagan (des transistors de 650 volts à 10 ampères) sont déjà en cours de tests et de qualification chez différents clients. La fabrication des transistors sera confiée au fondeur allemand, X-Fab.

Laurent Marchandiau

 



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